用於半導體產業晶圓封裝製程中Si材料切割及Molding Compound 鑽孔應用。利用UV激光源聚焦在加工物表面上,將材料汽化移除,再配合CNC數控電腦系統控制機台與掃描頭移動,控制激光聚焦位置,達成晶圓材料上Si材料切割與Molding Compound材料鑽孔。
項目 | 單位 | TLCU-660 | |
雷射型形式 | um | 9.4um CO2 Laser | 355 um UV Laser |
雷射功率 | W | >300W | 20W@90kHz |
操作頻率 | kHz | 1~5 | 50~300 |
掃瞄範圍 | mm | 50x50 | 46x46 (Opt. 35x35) |
工作範圍 | mm | 660x813 (26''x32'') | |
XY軸移動速度 | m/min | 50m/min | |
空壓 | kg/cm2 | 7 | |
空氣消耗量 | L/min | <800 | |
機械尺寸 | mm | 2300x2180x1960 | |
控制器 | PC Based |